為深度對接國家戰(zhàn)略，進一步加強寧波市與復(fù)旦大學(xué)的政產(chǎn)學(xué)研合作關(guān)系，加快重大科技成果產(chǎn)業(yè)化和支撐戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展步伐，2013年1月，復(fù)旦大學(xué)與寧波市人民政府簽署全面戰(zhàn)略合作協(xié)議，共建復(fù)旦大學(xué)寧波研究院，并落戶寧波前灣新區(qū)，正式開啟校地合作的嶄新篇章。
復(fù)旦大學(xué)寧波研究院作為復(fù)旦大學(xué)在浙江省設(shè)立的以科技研發(fā)、成果轉(zhuǎn)化和人才培養(yǎng)為導(dǎo)向的綜合性研究院，堅持“打造長三角有影響力的科技協(xié)同創(chuàng)新研發(fā)和成果轉(zhuǎn)化示范平臺”的核心定位，圍繞寧波市經(jīng)濟社會發(fā)展需求，發(fā)揮復(fù)旦大學(xué)在科技、研發(fā)、人才等領(lǐng)域的優(yōu)勢資源，聚焦半導(dǎo)體、生命健康、新能源新材料三大方向開展工作，形成了一條專業(yè)化、屬地化、市場化、國際化的運作路徑和發(fā)展模式，打造了一個較為完善的科技成果產(chǎn)業(yè)化和創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)生態(tài)體系，已成為浙江省和寧波市科技研發(fā)與成果轉(zhuǎn)化的重要平臺，是復(fù)旦大學(xué)服務(wù)國家與地方開展政產(chǎn)學(xué)研合作的主力平臺。
寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研究所（以下簡稱“寬禁帶所”）由復(fù)旦大學(xué)寧波研究院聯(lián)合復(fù)旦大學(xué)智能機器人與先進制造創(chuàng)新學(xué)院共同組建，聚焦第三代半導(dǎo)體材料缺陷表征、器件設(shè)計、器件制造工藝、封裝工藝開發(fā)等主要方向，以市場需求為導(dǎo)向，研發(fā)創(chuàng)新為動力，高端人才引育為支撐，采用政府引導(dǎo)、高校支撐、企業(yè)聯(lián)合研發(fā)、全產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同的政產(chǎn)學(xué)研相結(jié)合的模式，重點突破第三代半導(dǎo)體材料與器件關(guān)鍵共性技術(shù)及先進制造工藝，聯(lián)合上下游建立虛擬IDM模式，為寧波第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群的形成提供強有力支撐。
寬禁帶所總投入約4.6億元，重點建設(shè)“兩個平臺+兩條工藝線”，即第三代半導(dǎo)體材料表征分析平臺和器件測試平臺，第三代半導(dǎo)體工藝中試線和工藝封裝線。接下來，寬禁帶所將按照國家級和省級重點實驗室標準，加快建設(shè)面向前瞻研究與成果轉(zhuǎn)化、具備國際領(lǐng)先水平的第三代半導(dǎo)體材料與器件高水平研發(fā)平臺，力爭成為國家級第三代半導(dǎo)體技術(shù)研發(fā)中心。
01招聘崗位
研發(fā)中心主任
崗位職責(zé)：
1.建立研發(fā)體系，帶領(lǐng)團隊開展產(chǎn)品原型設(shè)計、版圖繪制、仿真驗證、測試驗證、可靠性評估、失效分析及工藝開發(fā)等全流程研發(fā)工作；
2.牽頭或指導(dǎo)國家、省市級等重大科研及產(chǎn)業(yè)化項目，解決項目中的重大技術(shù)與協(xié)調(diào)問題；
3.布局前沿技術(shù)預(yù)研，形成具有自主知識產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)和標準體系；與產(chǎn)業(yè)界合作驗證技術(shù)的工程化可行性；
4.負責(zé)研發(fā)中心的整體團隊搭建，包括人才引進、梯隊建設(shè)與核心骨干培養(yǎng)；建立技術(shù)等級、績效考核與激勵機制等；
5.與工藝、生產(chǎn)、測試、市場等部門緊密協(xié)作，確保研發(fā)與產(chǎn)業(yè)需求緊密銜接；代表研究所參與行業(yè)活動，與行業(yè)上下游建立聯(lián)合實驗室或創(chuàng)新平臺。
任職要求：
1.微電子科學(xué)與工程、集成電路、半導(dǎo)體物理等相關(guān)專業(yè)，博士研究生及以上學(xué)歷；
2.5年及以上半導(dǎo)體、集成電路產(chǎn)品研發(fā)相關(guān)工作經(jīng)驗，有完整產(chǎn)品開發(fā)項目經(jīng)驗者優(yōu)先，有國家級/省部級科研項目經(jīng)驗者優(yōu)先；
3.深入理解SiC材料、器件（SBD、MOSFET等）及工藝（外延、刻蝕、薄膜、封測等）的全鏈條技術(shù)；
4.具備從技術(shù)到產(chǎn)品再到產(chǎn)業(yè)化的系統(tǒng)思考能力，具備出色的項目組合管理與資源統(tǒng)籌能力；
5.具備卓越團隊領(lǐng)導(dǎo)和跨部門協(xié)調(diào)能力；優(yōu)秀的溝通技巧和談判能力，能與多方高效合作。
市場與銷售主任
崗位職責(zé)：
1.制定市場與銷售發(fā)展戰(zhàn)略、年度經(jīng)營目標及業(yè)務(wù)布局；制定差異化市場進入與競爭策略；參與研究所重大產(chǎn)業(yè)化項目及對外合作的商業(yè)評估與決策支持；
2.系統(tǒng)開拓目標行業(yè)頭部客戶，建立并維護穩(wěn)定的客戶群與合作伙伴網(wǎng)絡(luò)；對重大項目進行全過程跟蹤與風(fēng)險控制，探索并推動多元化商業(yè)模式；
3.建立并完善客戶分級管理與服務(wù)體系，提升重點客戶粘性與貢獻度；建立市場與銷售數(shù)據(jù)收集、分析與反饋機制，定期輸出市場洞察報告，為產(chǎn)品規(guī)劃與研發(fā)方向提供決策依據(jù)；
4.策劃品牌推廣活動，如技術(shù)研討會、媒體宣傳等，提升品牌知名度與美譽度；協(xié)同研發(fā)、工藝等部門，制作專業(yè)市場宣傳資料與技術(shù)白皮書；
5.負責(zé)市場與銷售團隊的整體搭建、崗位規(guī)劃與績效管理，制定合理的激勵機制；建立科學(xué)的銷售過程管理體系。
任職要求：
1.本科及以上學(xué)歷，市場營銷、工商管理、微電子、材料、物理等相關(guān)專業(yè)優(yōu)先；
2.8年以上市場或銷售相關(guān)工作經(jīng)驗，具備3年以上團隊管理經(jīng)驗；擁有新功率半導(dǎo)體下游應(yīng)用市場的客戶資源和渠道者優(yōu)先；
3.深刻理解SiC功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈、應(yīng)用場景及競爭格局，熟悉主流廠商與產(chǎn)品路線；
4.具備出色的商務(wù)談判與客戶關(guān)系管理能力；具備敏銳的市場洞察力，能精準把握行業(yè)趨勢、客戶痛點與機會點；
5.具備卓越的團隊領(lǐng)導(dǎo)和跨部門協(xié)調(diào)能力；能在高壓下快速定位并解決復(fù)雜問題。
工藝經(jīng)理
崗位職責(zé)：
1.規(guī)劃SiC工藝平臺（如外延、離子注入、刻蝕、薄膜沉積、金屬化等）技術(shù)架構(gòu)與發(fā)展重點。負責(zé)或指導(dǎo)SiC功率器件（SBD、MOSFET等）關(guān)鍵工藝模塊開發(fā)、優(yōu)化與驗證等；
2.提供工藝技術(shù)支持，主導(dǎo)解決量產(chǎn)中的重大工藝異常與良率問題；推進新工藝量產(chǎn)導(dǎo)入（NPI），解決過程關(guān)鍵技術(shù)問題；
3.建立并完善工藝質(zhì)量控制與可靠性評估體系，制定關(guān)鍵工藝參數(shù)的監(jiān)控與預(yù)警機制；組織制定工藝規(guī)范、檢驗標準和操作規(guī)程，并監(jiān)督執(zhí)行與持續(xù)優(yōu)化；
4.跟蹤國內(nèi)外SiC工藝技術(shù)發(fā)展趨勢，進行技術(shù)調(diào)研與分析，為技術(shù)決策提供依據(jù)，指導(dǎo)團隊撰寫技術(shù)報告、論文、專利交底書等；
5.負責(zé)工藝開發(fā)團隊的培養(yǎng)與績效管理，組織內(nèi)部技術(shù)培訓(xùn)、技術(shù)分享和學(xué)術(shù)交流，提升團隊整體技術(shù)水平。
任職要求：
1.碩士及以上學(xué)歷，微電子、集成電路、材料、物理等相關(guān)專業(yè)（博士優(yōu)先）；
2.6年以上半導(dǎo)體工藝研發(fā)經(jīng)驗，其中至少3-5年專注于SiC或功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，有國家級/省部級科研項目經(jīng)驗者優(yōu)先；
3.熟悉功率器件工藝流程及質(zhì)量控制體系，精通工藝參數(shù)優(yōu)化、良率提升及異常處理方法，能夠獨立解決復(fù)雜工藝技術(shù)問題；
4.具備出色的團隊領(lǐng)導(dǎo)和項目管理能力，優(yōu)秀的跨部門溝通協(xié)調(diào)能力，能與多方高效合作。
設(shè)備總監(jiān)
崗位職責(zé)：
1.組織制定并落實設(shè)備預(yù)防性維護（PM）、點檢和校準計劃，保障設(shè)備穩(wěn)定運行；協(xié)同工藝、生產(chǎn)等部門，分析設(shè)備對產(chǎn)品良率、性能的影響，推動工藝窗口優(yōu)化與設(shè)備改造；
2.負責(zé)備品備件計劃、采購、驗收與庫存管理，保障關(guān)鍵備件的及時供應(yīng)；編制設(shè)備部年度預(yù)算，控制設(shè)備全生命周期成本；
3.落實設(shè)備相關(guān)的EHS管理，預(yù)防安全事故，組織定期檢驗與備案；組織關(guān)鍵測量設(shè)備計量、校準與期間核查；
4.負責(zé)設(shè)備團隊培養(yǎng)與績效管理，制定專業(yè)發(fā)展路徑；組織內(nèi)部技術(shù)培訓(xùn)、經(jīng)驗分享和設(shè)備故障案例分析；
5.與工藝、研發(fā)、生產(chǎn)、質(zhì)量等部門緊密協(xié)作，保障項目順利推進；代表單位參與設(shè)備相關(guān)的對外技術(shù)交流與合作。
任職要求：
1.碩士及以上學(xué)歷，機械工程、自動化、電氣工程、機電一體化、微電子等相關(guān)專業(yè)；
2.8年以上半導(dǎo)體設(shè)備相關(guān)工作經(jīng)驗，3-5年在半導(dǎo)體或?qū)捊麕О雽?dǎo)體（SiC/GaN）領(lǐng)域擔(dān)任同等崗位；
3.深入理解半導(dǎo)體（尤其是SiC功率器件）制造關(guān)鍵設(shè)備（如外延、刻蝕、薄膜沉積、離子注入、封測設(shè)備等）的原理、結(jié)構(gòu)、維護要點及常見故障模式；
4.具備出色的團隊領(lǐng)導(dǎo)和跨部門協(xié)調(diào)能力，邏輯分析能力強，能在高壓下快速定位并解決復(fù)雜設(shè)備問題。
IT經(jīng)理
崗位職責(zé)：
1.負責(zé)IT基礎(chǔ)架構(gòu)全生命周期管理，包括規(guī)劃、搭建、運維及優(yōu)化，制定標準化工作流程與管理規(guī)范；
2.負責(zé)核心應(yīng)用系統(tǒng)（ERP、MES、OA、PLM等）的項目構(gòu)建、落地實施及后續(xù)運維優(yōu)化，涵蓋架構(gòu)設(shè)計、安裝配置、測試上線、迭代升級等全流程；
3.負責(zé)網(wǎng)絡(luò)整體規(guī)劃、部署與日常運維，包括虛擬化平臺網(wǎng)絡(luò)配置、網(wǎng)段劃分、路由管理；
4.牽頭推進信息安全體系建設(shè)，負責(zé)信息網(wǎng)絡(luò)安全項目的實施、運維與升級，防范網(wǎng)絡(luò)攻擊、數(shù)據(jù)泄露等安全風(fēng)險；
5.負責(zé)統(tǒng)籌軟、硬件故障的排查、分析與快速修復(fù)，建立高效的IT技術(shù)支持機制，為各部門提供及時、精準、可靠的技術(shù)支撐。
任職要求：
1.碩士及以上學(xué)歷，計算機科學(xué)與技術(shù)、信息系統(tǒng)管理、軟件工程等相關(guān)專業(yè)；
2.10年以上IT行業(yè)從業(yè)經(jīng)驗，其中至少5年IT基礎(chǔ)架構(gòu)管理與運營經(jīng)驗，精通信息化系統(tǒng)全流程（規(guī)劃、設(shè)計、實施、運維）管理，有生產(chǎn)型工廠從業(yè)背景、豐富ERP/MES系統(tǒng)落地經(jīng)驗者優(yōu)先；
3.熟練掌握OA、PLM、ERP、MES等核心信息化系統(tǒng)的操作、配置與運維，具備獨立解決復(fù)雜IT技術(shù)問題的能力；
4.具有較強的團隊協(xié)作與跨部門溝通能力，能快速對接各業(yè)務(wù)部門，推動信息化與業(yè)務(wù)融合。
研發(fā)工程師
崗位職責(zé)：
1.獨立負責(zé)化合物半導(dǎo)體器件全流程開發(fā)工作，包括但不限于器件結(jié)構(gòu)設(shè)計、電學(xué)仿真、版圖繪制優(yōu)化，以及完整工藝Flow的規(guī)劃、制定與落地；
2.利用相關(guān)設(shè)計工具進行器件物理建模，優(yōu)化元胞結(jié)構(gòu)、終端結(jié)構(gòu)（如JTE、場板）以提升擊穿電壓、降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗；
3.分析器件靜態(tài)（IV特性）、動態(tài)（開關(guān)特性、電容特性）參數(shù)，并與仿真結(jié)果對比，指導(dǎo)設(shè)計迭代，工藝改進方案，并推動方案落地驗證，提升器件性能與可靠性；
4.配合團隊完成器件研發(fā)相關(guān)技術(shù)文檔、測試報告的撰寫與歸檔，參與研發(fā)項目的進度跟進、風(fēng)險排查，協(xié)助解決項目推進過程中的技術(shù)難題。
任職要求：
1.碩士及以上學(xué)歷，半導(dǎo)體物理、電子材料、微電子、固體電子學(xué)等相關(guān)專業(yè)；
2.深入理解PN結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)、雙極晶體管等半導(dǎo)體基礎(chǔ)理論；熟悉功率半導(dǎo)體器件工作原理和關(guān)鍵參數(shù)；
3.具備3年及以上化合物半導(dǎo)體器件研發(fā)經(jīng)驗，熟練掌握器件仿真設(shè)計、版圖繪制全流程，有相關(guān)器件量產(chǎn)研發(fā)經(jīng)驗者優(yōu)先；
4.熟練使用Sentaurus-TCAD仿真軟件，能夠獨立完成器件仿真、結(jié)果分析及參數(shù)優(yōu)化；
5.具備良好的溝通協(xié)調(diào)能力、高效的團隊協(xié)作意識，擁有較強的邏輯分析、獨立思考及解決復(fù)雜技術(shù)問題的能力。
執(zhí)行所長助理
崗位職責(zé):
1.協(xié)助執(zhí)行所長制定年度、季度運營規(guī)劃，跟進落地執(zhí)行進度，梳理運營難點并提出優(yōu)化方案；組織研究所重要會議包括議題征集、材料準備、紀要撰寫及決議事項的督辦跟進；
2.在執(zhí)行所長授權(quán)下，統(tǒng)籌各類項目全流程管控，跟蹤關(guān)鍵節(jié)點，協(xié)調(diào)內(nèi)外部資源，保障重點任務(wù)順利完成；
3.協(xié)助執(zhí)行所長對接上級主管部門，跟蹤政策動向，組織申報政府項目與榮譽資質(zhì)；協(xié)助對接科研院所及產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，推動聯(lián)合研發(fā)等項目洽談與落地；
4.協(xié)助執(zhí)行所長負責(zé)重要來訪專家、合作伙伴的接待與行程安排；優(yōu)化研究所內(nèi)部管理流程，推動跨部門協(xié)作；
5.協(xié)助執(zhí)行所長監(jiān)督研究所各項規(guī)章制度的執(zhí)行，高效、準確地完成執(zhí)行所長交辦的其他專項任務(wù)。
任職要求:
1.碩士及以上學(xué)歷，科研管理、公共管理、工商管理等相關(guān)專業(yè)優(yōu)先；
2.具備高校、科研院所、事業(yè)單位行政助理或管理助理相關(guān)工作經(jīng)驗者優(yōu)先；
3.具備系統(tǒng)思考能力，卓越的跨部門溝通、協(xié)調(diào)和人際交往能力；熟悉科研項目或企業(yè)管理的基本流程和方法論，具備多任務(wù)并行處理和解決問題的能力；
4.具備較強抗壓能力與執(zhí)行力，能在快節(jié)奏、多線程的工作環(huán)境下，高效地推動各項工作落到實處。
博士后
崗位職責(zé):
1.寬禁帶及超寬禁帶電子器件設(shè)計與工藝；
2.先進封裝與可靠性測試；
3.半導(dǎo)體芯片加工與量測；
4.光學(xué)AR、MEMS集成、量子傳感等前沿新型器件。
任職要求:
1.博士研究生學(xué)歷，物理、微電子、材料等相關(guān)專業(yè)；
2.有半導(dǎo)體相關(guān)項目研究經(jīng)驗；
3.具有良好的科研能力及團隊協(xié)作精神，年齡一般不超過35周歲。
生產(chǎn)經(jīng)理
崗位職責(zé):
1.統(tǒng)籌制定并落地生產(chǎn)計劃，優(yōu)化生產(chǎn)排程，保障產(chǎn)能高效、穩(wěn)定輸出；
2.全面負責(zé)生產(chǎn)過程質(zhì)量管控，建立并監(jiān)督執(zhí)行質(zhì)量標準，確保產(chǎn)品良率與品質(zhì)達標；
3.負責(zé)生產(chǎn)團隊建設(shè)、人員管理與技能培訓(xùn)，提升團隊執(zhí)行力、專業(yè)度與整體效率；
4.實時跟蹤生產(chǎn)進度與關(guān)鍵指標，確保訂單按期交付，達成生產(chǎn)及出貨目標；
5.協(xié)調(diào)研發(fā)、設(shè)備、工藝、物料等部門，保障生產(chǎn)環(huán)節(jié)高效協(xié)同。
任職要求:
1.本科及以上學(xué)歷，微電子、材料、機械制造、工業(yè)工程等相關(guān)專業(yè)；
2.10年以上生產(chǎn)管理經(jīng)驗，5年以上FAB廠產(chǎn)線管理經(jīng)驗；
3.精通生產(chǎn)排程、現(xiàn)場管理、質(zhì)量管控、異常處理及團隊管理；
4.具備優(yōu)秀的統(tǒng)籌協(xié)調(diào)、問題解決與跨部門溝通能力。
實習(xí)生崗位（研發(fā)、科研助理、工藝及設(shè)備等）
實習(xí)表現(xiàn)優(yōu)秀者可提供轉(zhuǎn)正機會。
02簡歷投遞
個人簡歷投遞至郵箱：
（點擊查看）
招聘聯(lián)系人：
信息來源于網(wǎng)絡(luò)，如有變更請以原發(fā)布者為準。
來源鏈接：
https://mp.weixin.qq.com/s/tb5oIACTvtPPDK3JQyqemg
