院系/所/中心（School）

北京大學(xué)/工學(xué)部/先進(jìn)制造與機(jī)器人學(xué)院

合作導(dǎo)師（Mentor）

李啟亮，北京大學(xué)工學(xué)部先進(jìn)制造與機(jī)器人學(xué)院教授、博士生導(dǎo)師。研究方向為先進(jìn)微納制造、智能傳感、光電子集成、寬禁帶半導(dǎo)體器件、面向醫(yī)療健康的電子器件與系統(tǒng)等。研究成果在Advanced Materials、Sci. Adv.、ACS Sensors / Nano、Anal.Chem.、IEEE IOT、TED、Materials Today、Appl. Surf. Sci.、Appl. Phys. Lett.等國際期刊上發(fā)表250多篇論文，已授權(quán)美國專利10項。先后畢業(yè)于武漢大學(xué)和南京大學(xué)，于2004年獲得美國北卡納羅那州立大學(xué)電機(jī)與計算機(jī)工程博士學(xué)位。2004-2007年，在美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)局（NIST）擔(dān)任研究員，從事先進(jìn)CMOS集成技術(shù)研究。2007-2023年，歷任喬治梅森大學(xué)電機(jī)與計算機(jī)工程系助理教授、副教授、正教授。獲2009年度美國國家自然科學(xué)基金杰出青年科學(xué)家獎（CAREER），2017年起擔(dān)任弗吉尼亞州電子協(xié)會（VMEC）講席教授。從2020年開始擔(dān)任IEEE Sensors Journal的副主編，2022-2025年任國際電化學(xué)學(xué)會（ECS）理事會成員和光電子分會主席。

研究專業(yè)/方向（Department/Area）

基于硅IGBT、寬禁帶半導(dǎo)體（GaN/SiC/金剛石）器件的固態(tài)變壓器與固態(tài)斷路器集成設(shè)計、智能控制與高密度功率變換。

年薪標(biāo)準(zhǔn)（Annual Salary）

1.基本待遇（包括各類保險和公積金等、符合條件者可申請博士后住房補(bǔ)貼、博士后公寓或租房補(bǔ)貼、子女入學(xué)等）按國家博士后相關(guān)規(guī)定及北京大學(xué)辦法執(zhí)行；

2.按國家和北京大學(xué)相關(guān)規(guī)定提供具有競爭力的基礎(chǔ)年薪外，可提供額外項目補(bǔ)助；

3.提供國內(nèi)外學(xué)術(shù)及企業(yè)的交流平臺和合作機(jī)會，協(xié)助博士后期間自然科學(xué)青年基金、博士后科學(xué)基金等科研項目的申請及推薦；

4.對條件優(yōu)秀者，將協(xié)助申請北京大學(xué)博雅博士后等項目（https://postdocs.pku.edu.cn/tzgg/22e0746345904184b6576a97f47607e2.htm）或中國博士后創(chuàng)新人才支持計劃（https://postdocs.pku.edu.cn/tzgg/9ee52e3dccaf42c8be1a5c5e36edc90c.htm）項目者，享相關(guān)待遇；

5.優(yōu)秀者薪資待遇可一事一議，出站后支持申請北京大學(xué)的研究員系列職位。

職位描述（Position Description）

針對硅IGBT與寬禁帶半導(dǎo)體（GaN/SiC/金剛石）在固態(tài)變壓器及固態(tài)斷路器中的集成應(yīng)用，開展高密度功率變換系統(tǒng)的創(chuàng)新研究。重點包括多類型器件混合拓?fù)湓O(shè)計、智能控制策略開發(fā)、系統(tǒng)效率與可靠性優(yōu)化，并完成從仿真驗證到實驗樣機(jī)的全流程研發(fā)。發(fā)表高水平學(xué)術(shù)成果，推動前沿技術(shù)向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用轉(zhuǎn)化。

候選人基本條件（Basic Qualifications）

1.熱愛祖國、擁護(hù)黨的領(lǐng)導(dǎo)、有志于投身國家最需要的科研事業(yè)；

2.已經(jīng)獲得（3年內(nèi)）或近期將獲得（相關(guān)專業(yè)）博士學(xué)位，年齡一般不超過35周歲；

3.對待科研工作認(rèn)真負(fù)責(zé)，具備有科研探索精神及獨立科研能力；

4.在半導(dǎo)體、電力電子、應(yīng)用物理、微納制造或智慧電網(wǎng)領(lǐng)域有實踐經(jīng)驗，在相關(guān)期刊發(fā)表過文章，有良好的中英文寫作能力。

候選人附加條件(Additiona lQualifications)

有以下一條或多條相關(guān)背景的博士后候選人將被優(yōu)先考慮：

1.已獲得或即將獲得電氣工程、電力電子及相關(guān)專業(yè)的博士學(xué)位；

2.具備硅基IGBT及寬禁帶半導(dǎo)體（GaN/SiC）器件應(yīng)用與功率變換拓?fù)洌ㄈ?/font>DAB，LLC）的扎實研究或項目經(jīng)驗；

3.熟練掌握高頻磁性元件設(shè)計、PCB布局及電磁兼容（EMC）分析與優(yōu)化；

4.精通至少一種專業(yè)仿真工具（如PLECS，LTspice，ANSYS/Simplorer，MATLAB/Simulink）；

5.擁有豐富的硬件實驗技能，能獨立完成千瓦級功率實驗平臺搭建、調(diào)試與測試；

6.熟悉數(shù)字控制（如DSP/FPGA）實現(xiàn)，具備C/C++或HDL編程能力，有先進(jìn)控制算法開發(fā)經(jīng)驗；

7.具有良好的學(xué)術(shù)發(fā)表記錄（如IEEETransactions論文）和清晰的科研表達(dá)能力；

8.光具備優(yōu)秀的團(tuán)隊合作精神、自主驅(qū)動能力及中英文溝通能力。

申請材料（Applicant Documents）

有意向者請將未來研究興趣（以郵件正文）、個人簡歷（附件1）、代表文章（附件2）發(fā)送至（點擊查看），請【點擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進(jìn)行職位報名】已獲得學(xué)位者請附博士論文摘要及目錄，尚未取得學(xué)位者請注明預(yù)計畢業(yè)日期。

郵件題目請標(biāo)明為“【博士后申請】-姓名”。

聯(lián)系人（Contact Information）

聯(lián)系人：李啟亮

郵箱：（點擊查看）

備注（Remark）

初選通過后郵件通知候選人面試；申請材料恕不退回。

面試地點：北京大學(xué)先進(jìn)制造與機(jī)器人學(xué)院。

截止時間（DueDate）

長期有效。