信息項(xiàng)目

信息內(nèi)容

招聘單位

先進(jìn)制造與機(jī)器人學(xué)院

招聘崗位

特聘副研究員（勞動合同制專職研究崗位）

崗位類別

科研

招聘范圍

校內(nèi)外公開招聘

招聘人數(shù)

1人

崗位職責(zé)

1.硅IGBT與寬禁帶半導(dǎo)體（GaN/SiC/金剛石）在固態(tài)變壓器及固態(tài)斷路器中的集成應(yīng)用，開展高密度功率變換系統(tǒng)的創(chuàng)新研究。重點(diǎn)包括多類型器件混合拓?fù)湓O(shè)計(jì)、智能控制策略開發(fā)、系統(tǒng)效率與可靠性優(yōu)化，并完成從仿真驗(yàn)證到實(shí)驗(yàn)樣機(jī)的全流程研發(fā)。

2.高水平學(xué)術(shù)成果，推動前沿技術(shù)向產(chǎn)業(yè)應(yīng)用轉(zhuǎn)化。

應(yīng)聘條件

1.熱愛祖國、擁護(hù)黨的領(lǐng)導(dǎo)、有志于投身國家最需要的科研事業(yè)；

2.已經(jīng)獲得（3年內(nèi)）或近期將獲得（相關(guān)專業(yè)）博士學(xué)位，身體健康；

3.對待科研工作認(rèn)真負(fù)責(zé)，具備有科研探索精神及獨(dú)立科研能力，具備優(yōu)秀的團(tuán)隊(duì)合作精神、自主驅(qū)動能力及中英文溝通能力；

4.在半導(dǎo)體、電力電子、應(yīng)用物理、微納制造或智慧電網(wǎng)領(lǐng)域有實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，具有良好的學(xué)術(shù)發(fā)表記錄（如IEEETransactions論文）和中英文寫作能力。

5.具備硅基IGBT及寬禁帶半導(dǎo)體（GaN/SiC）器件應(yīng)用與功率變換拓?fù)洌ㄈ?/font>DAB，LLC）的扎實(shí)研究或項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)；

6.掌握高頻磁性元件設(shè)計(jì)、PCB布局及電磁兼容（EMC）分析與優(yōu)化；

7.至少一種專業(yè)仿真工具（如PLECS，LTspice，ANSYS/Simplorer，MATLAB/Simulink）；

8.擁有豐富的硬件實(shí)驗(yàn)技能，能獨(dú)立完成千瓦級功率實(shí)驗(yàn)平臺搭建、調(diào)試與測試；

9.熟悉數(shù)字控制（如DSP/FPGA）實(shí)現(xiàn)，具備C/C++或HDL編程能力，有先進(jìn)控制算法開發(fā)經(jīng)驗(yàn)；

崗位待遇

依照北京大學(xué)勞動合同制專職研究崗位政策執(zhí)行。根據(jù)科研業(yè)績與實(shí)際貢獻(xiàn)，學(xué)院及課題組將提供具有競爭力的薪酬待遇（含基本工資、績效獎勵、五險(xiǎn)一金等），并根據(jù)科研成果表現(xiàn)給予績效激勵；支持申請國家和北京市科研項(xiàng)目及人才計(jì)劃，提供良好的科研條件與合作平臺。

應(yīng)聘程序

1.請將報(bào)名材料發(fā)送至招聘郵箱（點(diǎn)擊查看），請【點(diǎn)擊下方“立即投遞/投遞簡歷”，即刻進(jìn)行職位報(bào)名】，郵件主題注明“姓名+特聘副研究員應(yīng)聘”；

2.招聘小組對申請人資料進(jìn)行初審，通知初選合格者參加面試。未通過初選者恕不另行通知，應(yīng)聘材料恕不退還。

3.經(jīng)面試評估后確定擬錄用人選；

4.擬聘人選經(jīng)學(xué)院審批后，按北京大學(xué)勞動合同制專職研究崗位聘任流程辦理入職手續(xù)。

應(yīng)聘材料

1.個人簡歷（含教育與科研經(jīng)歷、主要成果）；

2.代表性科研論文（不超過3篇）及科研成果材料；

3.未來三年科研工作計(jì)劃（1-2頁）；

聯(lián)系方式

郵箱：（點(diǎn)擊查看）

備注說明

本崗位為北京大學(xué)勞動合同制專職研究崗位（特聘副研究員），不納入事業(yè)編制；不解決北京戶口。

發(fā)布日期

2025年12月10日

截止日期

長期有效